| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В настоящем сообщении представлены результаты экспериментов по наблюдению электролюминесценции из металл-окисел-полупроводник (МОП) с массивами самоформирующихся наноостровков Ge(Si) и оксидом алюминия Al[2]O[3] в качестве изолирующего слоя. Проанализированы изменения в спектрах электролюминесценции МОП структур, вызываемые изменением работы выхода металла. При комнатной температуре наблюдалась интенсивная электролюминесценция наноостровков Ge(Si), удаленных на расстояние ~ 50 нм от интерфейса окисел-полупроводник. Показано, что, выбирая соответствующие параметры полупроводниковой структуры и высоту барьера для инжектируемых носителей, можно управлять спектром излучения МОП структуры. |
| Ключевые слова | электролюминесценция |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1497-1500 |
|
| Имя макрообъекта | Шмагин_электролюминесценция |
