| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675270424 |
| Дата корректировки | 15:28:00 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шмагин, В. Б. | |
|
Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si) Электронный ресурс |
|
| Electroluminescence from MIS silicon based light emitters with arrays of nanoislands Ge(Si) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | В настоящем сообщении представлены результаты экспериментов по наблюдению электролюминесценции из металл-окисел-полупроводник (МОП) с массивами самоформирующихся наноостровков Ge(Si) и оксидом алюминия Al[2]O[3] в качестве изолирующего слоя. Проанализированы изменения в спектрах электролюминесценции МОП структур, вызываемые изменением работы выхода металла. При комнатной температуре наблюдалась интенсивная электролюминесценция наноостровков Ge(Si), удаленных на расстояние ~ 50 нм от интерфейса окисел-полупроводник. Показано, что, выбирая соответствующие параметры полупроводниковой структуры и высоту барьера для инжектируемых носителей, можно управлять спектром излучения МОП структуры. |
| Ключевые слова | электролюминесценция |
|
кремниевые МОП структуры наноостровки оксид алюминия окисел-полупроводники полупроводники кремниевая нанофотоника светодиоды |
|
|
Вдовичев, С. Н. Морозова, Е. Е. Новиков, А. В. Шалеев, М. В. Шенгуров, Д. В. Красильник, З.Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1497-1500 |
|
| Имя макрообъекта | Шмагин_электролюминесценция |
| Тип документа | b |
