Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния - Статьи - Базы данных - БГТУ

Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния

Авторы: Байдакова, Н. А. Новиков, А. В. Шалеев, М. В. Юрасов, Д. В. Морозова, Е. Е. Шенгуров, Д. В. Красильник, З.Ф.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния Электронный ресурс
Аннотация	Впервые исследована электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферах SiGe/Si(001) и заключенными между слоями напряженного кремния. Сигнал электролюминесценции от исследованных структур наблюдается в области длин волн 1.6-2.0 мкм, более длинноволновой области спектра по сравнению со структурами с островками Ge(Si), сформированными на подложках Si(001). Это позволяет рассматривать структуры с островками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями Si, в качестве кандидатов для создания на кремнии источников излучения на диапазон длин волн > 1.55 мкм.
Ключевые слова	электролюминесценция
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 12. - С. 1685-1689
Имя макрообъекта	Байдакова_электролюминесценция