| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675338738 |
| Дата корректировки | 10:18:13 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Байдакова, Н. А. | |
|
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния Электронный ресурс |
|
| Electroluminescence of self-assembled Ge(Si) islands embedded in a tensile-strained Si layer | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Впервые исследована электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферах SiGe/Si(001) и заключенными между слоями напряженного кремния. Сигнал электролюминесценции от исследованных структур наблюдается в области длин волн 1.6-2.0 мкм, более длинноволновой области спектра по сравнению со структурами с островками Ge(Si), сформированными на подложках Si(001). Это позволяет рассматривать структуры с островками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями Si, в качестве кандидатов для создания на кремнии источников излучения на диапазон длин волн > 1.55 мкм. |
| Ключевые слова | электролюминесценция |
|
наноостровки Ge(Si) кремний кремниевая оптоэлектроника светоизлучающие структуры люминесценция островков гетероструктуры |
|
|
Новиков, А. В. Шалеев, М. В. Юрасов, Д. В. Морозова, Е. Е. Шенгуров, Д. В. Красильник, З.Ф. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1685-1689 |
| Имя макрообъекта | Байдакова_электролюминесценция |
| Тип документа | b |
