-
Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В., Степихова, М. В., Сергеев, С. М., Байдакова, Н. А., Шалеев, М. В., Красильник, З. Ф.
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 10. - С. 1150-1157 .-
Яблонский_кинетика
-
Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
Юрасов, Д. В., Байдакова, Н. А., Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В.
Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 7. - С. 685-690
Юрасов_влияние
-
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336
Новиков_формирование
-
Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
Байдакова, Н. А., Вербус, В. А., Морозова, Е. Е., Новиков, А. В., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Hombe, A., Kurokawa, Y., Usami, N.
Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1599-1604
Байдакова_селективное
-
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
Байдакова, Н. А., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Шенгуров, Д. В., Красильник, З.Ф.
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1685-1689 .-
Байдакова_электролюминесценция
-
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Туктамышев, А. Р., Есин, М. Ю., Машанов, В. И., Гутаковский, А. К., Байдакова, Н. А.
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1610-1614
Тимофеев_напряженные