Поиск

Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией

Авторы: Юрасов, Д. В. Дроздов, М. Н. Шмагин, В. Б. Новиков, А. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
Электронный ресурс
Ключевые слова сегрегация сурьмы
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 12. - С. 1611-1615
Имя макрообъекта Юрасов_исследование