| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686854329 |
| Дата корректировки | 16:58:12 6 октября 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Юрасов, Д. В. | |
|
Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией Электронный ресурс |
|
| Antimony segregation in Si layers grown by MBE on Si wafers with different crystallographic orientations | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Исследована сегрегация Sb в слоях Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111), (110), (115), и проведено сравнение полученных результатов для этих ориентаций с результатами для наиболее распространенной ориентации (001). Обнаружено, что качественно ход температурных зависимостей коэффициента сегрегации Sb (r) схож для всех исследованных ориентаций, в частности можно выделить два характерных температурных интервала, соответствующих режиму кинетических ограничений и термодинамически равновесному режиму сегрегации. Однако количественно данные для величины r при исследованных ориентациях заметно отличаются от таковых для (001) при одинаковых температурах. Обнаруженные на зависимостях r от температуры роста участки, где r меняется на 5 порядков в узком интервале температур, позволили адаптировать метод селективного легирования, основанный на контролируемом использовании эффекта сегрегации, предложенный авторами ранее для структур на Si(001), к структурам, выращенным на подложках Si иных ориентаций. С помощью данного метода были изготовлены селективно-легированные структуры Si : Sb/Si(111), в которых изменение концентрации Sb на порядок происходит на масштабах в несколько нанометров. |
| Ключевые слова | сегрегация сурьмы |
|
сурьма кристаллографическая ориентация молекулярно-пучковая эпитаксия подложки Si кремний селективное легирование селективно-легированные структуры |
|
|
Дроздов, М. Н. Шмагин, В. Б. Новиков, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 12. - С. 1611-1615 |
|
| Имя макрообъекта | Юрасов_исследование |
| Тип документа | b |
