-
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Фефелов, А. Г., Юрасов, Д. В.
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533
Алешкин_технология
-
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения
Венедиктов, М. М., Тарасова, Е. А., Боженькина, А. Д., Оболенский, С. В., Елесин, В. В., Чуков, Г. В., Метелкин, И. О., Кревский, М. А., Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г.
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1414-1420
Венедиктов_анализ
-
Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г., Коротков, А. В., Павельев, Д. Г., Козлов, В. А., Оболенская, Е. С., Иванов, А. С., Оболенский, С. В.
Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1158-1162
Дюков_сравнение
-
Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов
Малеев, Н. А., Беляков, В. А., Васильев, А. П., Бобров, М. А. , Блохин, С. А., Кулагина, М. М., Кузьменков, А. Г., Неведомский, В. Н., Гусева, Ю. А., Устинов, В. М.
Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1484-1488
Малеев_молекулярно
