| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведен анализ влияния неравновесных процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии на характеристики структур и СВЧ-транзисторов на их основе. Особое внимание обращено на сопоставление параметров опытных (экспериментальных) и серийных структур и транзисторов на их основе до и после гамма-нейтронного облучения. |
| Ключевые слова | неравновесные полупроводниковые структуры |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1414-1420 |
|
| Имя макрообъекта | Венедиктов_анализ |
