| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690567858 |
| Дата корректировки | 16:28:42 18 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46749.28 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Венедиктов, М. М. | |
|
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения Электронный ресурс |
|
| Analysis of the behavior of nonequilibrium semiconductor structures and microwave transistors at the time and after pulsed gamma and gamma-neutron irradiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Проведен анализ влияния неравновесных процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии на характеристики структур и СВЧ-транзисторов на их основе. Особое внимание обращено на сопоставление параметров опытных (экспериментальных) и серийных структур и транзисторов на их основе до и после гамма-нейтронного облучения. |
| Ключевые слова | неравновесные полупроводниковые структуры |
|
полупроводниковые структуры СВЧ транзисторы радиационное воздействие гамма-нейтронное облучение транзисторы Шоттки |
|
|
Тарасова, Е. А. Боженькина, А. Д. Оболенский, С. В. Елесин, В. В. Чуков, Г. В. Метелкин, И. О. Кревский, М. А. Дюков, Д. И. Фефелов, А. Г. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1414-1420 |
|
| Имя макрообъекта | Венедиктов_анализ |
| Тип документа | b |
