Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения
Венедиктов, М. М., Тарасова, Е. А., Боженькина, А. Д., Оболенский, С. В., Елесин, В. В., Чуков, Г. В., Метелкин, И. О., Кревский, М. А., Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г.
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1414-1420
Венедиктов_анализ
