-
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения
Венедиктов, М. М., Тарасова, Е. А., Боженькина, А. Д., Оболенский, С. В., Елесин, В. В., Чуков, Г. В., Метелкин, И. О., Кревский, М. А., Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г.
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1414-1420
Венедиктов_анализ
-
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~ 100нм
Тарасова, Е. А., Оболенский, С. В., Хазанова, C. В., Григорьева, Н. Н., Голиков, О. Л., Иванов, А. Б., Пузанов, А. С.
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~ 100нм , [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 9. - С. 968-973 .-
Тарасова_компенсация
-
Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения
Тарасова, Е. А., Хананова, А. В., Оболенский, С. В., Земляков, В. Е., Свешниковo, Ю. Н., Егоркин, В. И., Иванов, В. А., Медведев, Г. В., Смотрин, Д. С.
Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 331-338 .-
Тарасова_исследование
-
Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
Оболенская, Е. С., Тарасова, Е. А., Чурин, А. Ю., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1605-1609 .-
Оболенская_исследование
