Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения
Поиск

Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения

Авторы: Тарасова, Е. А. Хананова, А. В. Оболенский, С. В. Земляков, В. Е. Свешниковo, Ю. Н. Егоркин, В. И. Иванов, В. А. Медведев, Г. В. Смотрин, Д. С.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения
Электронный ресурс
Аннотация Приводятся результаты экспериментального исследования параметров GaN и GaAs структур до и после гамма-нейтронного облучения. Предложен специальный набор тестовых диодов, позволяющих снизить погрешность результатов измерений параметров структур, что важно для проектирования и оптимизации конструкции полупроводниковых приборов.
Ключевые слова гамма-нейтронные облучения
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 3. - С. 331-338
Имя макрообъекта Тарасова_исследование