| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670505044 |
| Дата корректировки | 11:33:39 31 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тарасова, Е. А. | |
|
Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Приводятся результаты экспериментального исследования параметров GaN и GaAs структур до и после гамма-нейтронного облучения. Предложен специальный набор тестовых диодов, позволяющих снизить погрешность результатов измерений параметров структур, что важно для проектирования и оптимизации конструкции полупроводниковых приборов. |
| Ключевые слова | гамма-нейтронные облучения |
|
гамма-излучения полупроводниковые приборы полупроводниковые диоды диоды транзисторы |
|
|
Хананова, А. В. Оболенский, С. В. Земляков, В. Е. Свешниковo, Ю. Н. Егоркин, В. И. Иванов, В. А. Медведев, Г. В. Смотрин, Д. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 331-338 |
| Имя макрообъекта | Тарасова_исследование |
| Тип документа | b |
