Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Оболенский, С. В.

Статьи. Автор - Оболенский, С. В.

• Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
  Забавичев, И. Ю., Потехин, А. А., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1520-1524 Забавичев_деградация
• Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
  Забавичев, И. Ю., Оболенская, Е. С., Потехин, А. А., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1489-1492 Забавичев_транспорт
• Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения
  Хананова, А. В., Оболенский, С. В.
  
  Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1366-1372 Хананова_разработка
• Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения
  Венедиктов, М. М., Тарасова, Е. А., Боженькина, А. Д., Оболенский, С. В., Елесин, В. В., Чуков, Г. В., Метелкин, И. О., Кревский, М. А., Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г.
  
  Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного гамма- и гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1414-1420 Венедиктов_анализ
• Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире
  Кабальнов, Ю. А., Труфанов, А. Н., Оболенский, С. В.
  
  Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 388-395 Кабальнов_исследование
• Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~ 100нм
  Тарасова, Е. А., Оболенский, С. В., Хазанова, C. В., Григорьева, Н. Н., Голиков, О. Л., Иванов, А. Б., Пузанов, А. С.
  
  Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~ 100нм , [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 9. - С. 968-973 .- Тарасова_компенсация
• Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
  Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г., Коротков, А. В., Павельев, Д. Г., Козлов, В. А., Оболенская, Е. С., Иванов, А. С., Оболенский, С. В.
  
  Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1158-1162 Дюков_сравнение
• Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи
  Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 791-795 Пузанов_разогрев
• Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
  Забавичев, И. Ю., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 945-951 Забавичев_влияние
• Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
  Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. A., Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот, [Текст] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1493-1497 Павельев_оптимизация
• Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
  Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1295-1299 Пузанов_применение
• Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения
  Тарасова, Е. А., Хананова, А. В., Оболенский, С. В., Земляков, В. Е., Свешниковo, Ю. Н., Егоркин, В. И., Иванов, В. А., Медведев, Г. В., Смотрин, Д. С.
  
  Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 331-338 .- Тарасова_исследование
• Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
  Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. А., Кошуринов, Ю. И. , Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
  
  Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1548-1553 Павельев_моделирование
• Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
  Оболенская, Е. С., Тарасова, Е. А., Чурин, А. Ю., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1605-1609 .- Оболенская_исследование
• Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
  Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1706-1712 Пузанов_влияние