Поиск

Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения

Авторы: Забавичев, И. Ю. Потехин, А. А. Пузанов, А. С. Оболенский, С. В. Козлов, В. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
Электронный ресурс
Ключевые слова биполярные транзисторы
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 11. - С. 1520-1524
Имя макрообъекта Забавичев_деградация