| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686681712 |
| Дата корректировки | 16:58:52 4 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45103.17 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Забавичев, И. Ю. | |
|
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения Электронный ресурс |
|
| Degradation characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base at formation of nanometer radiation defect clusters under neutron irradiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Проведен расчет протекания носителей заряда в структуре биполярного транзистора на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в его рабочей области одиночного кластера радиационных дефектов. Показано, что место зарождения кластера радиационных дефектов существенным образом влияет на степень деградации коэффициента усиления биполярного транзистора. Получена вероятностная оценка радиационно-индуцированного прокола базы в зависимости от ее толщины и флюенса нейтронов. |
| Ключевые слова | биполярные транзисторы |
|
арсенид галлия нанометровые кластеры нейтронное облучение радиационные дефекты полупроводниковые приборы |
|
|
Потехин, А. А. Пузанов, А. С. Оболенский, С. В. Козлов, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1520-1524 |
|
| Имя макрообъекта | Забавичев_деградация |
| Тип документа | b |
