-
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
Забавичев, И. Ю., Потехин, А. А., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1520-1524
Забавичев_деградация
-
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
Забавичев, И. Ю., Оболенская, Е. С., Потехин, А. А., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1489-1492
Забавичев_транспорт
-
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
Забавичев, И. Ю., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 945-951
Забавичев_влияние
