Поиск

Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов

Авторы: Забавичев, И. Ю. Оболенская, Е. С. Потехин, А. А. Пузанов, А. С. Оболенский, С. В. Козлов, В. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
Электронный ресурс
Ключевые слова субмикронные полупроводниковые структуры
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 11. - С. 1489-1492
Имя макрообъекта Забавичев_транспорт