Поиск

Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов

Авторы: Забавичев, И. Ю. Оболенская, Е. С. Потехин, А. А. Пузанов, А. С. Оболенский, С. В. Козлов, В. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/686682244
Дата корректировки 17:10:29 4 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2017.11.45096.10
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Забавичев, И. Ю.
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
Электронный ресурс
Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicron semiconductor structures with nanoscale clusters of radiation defects
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 9 назв.
Аннотация Проведен расчет распределений радиусов и расстояний между ядрами субкластеров радиационных дефектов в Si, GaAs и GaN. Обсуждаются особенности транспорта горячих носителей заряда в облученных нейтронами материалах. Впервые рассчитан всплеск скорости электронов в Si, GaAs, InGaAs и GaN до и после радиационного воздействия и проведено сравнение силы проявления указанного эффекта в различных полупроводниковых материалах.
Ключевые слова субмикронные полупроводниковые структуры
транспорт горячих носителей заряд
нанометровые кластеры
радиационные дефекты
полупроводниковые материалы
Оболенская, Е. С.
Потехин, А. А.
Пузанов, А. С.
Оболенский, С. В.
Козлов, В. А.
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 11. - С. 1489-1492
Имя макрообъекта Забавичев_транспорт
Тип документа b