| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686682244 |
| Дата корректировки | 17:10:29 4 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45096.10 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Забавичев, И. Ю. | |
|
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов Электронный ресурс |
|
| Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicron semiconductor structures with nanoscale clusters of radiation defects | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Проведен расчет распределений радиусов и расстояний между ядрами субкластеров радиационных дефектов в Si, GaAs и GaN. Обсуждаются особенности транспорта горячих носителей заряда в облученных нейтронами материалах. Впервые рассчитан всплеск скорости электронов в Si, GaAs, InGaAs и GaN до и после радиационного воздействия и проведено сравнение силы проявления указанного эффекта в различных полупроводниковых материалах. |
| Ключевые слова | субмикронные полупроводниковые структуры |
|
транспорт горячих носителей заряд нанометровые кластеры радиационные дефекты полупроводниковые материалы |
|
|
Оболенская, Е. С. Потехин, А. А. Пузанов, А. С. Оболенский, С. В. Козлов, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1489-1492 |
|
| Имя макрообъекта | Забавичев_транспорт |
| Тип документа | b |
