Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Оболенская, Е. С.

Статьи. Автор - Оболенская, Е. С.

• Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
  Забавичев, И. Ю., Оболенская, Е. С., Потехин, А. А., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1489-1492 Забавичев_транспорт
• Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
  Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г., Коротков, А. В., Павельев, Д. Г., Козлов, В. А., Оболенская, Е. С., Иванов, А. С., Оболенский, С. В.
  
  Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1158-1162 Дюков_сравнение
• Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
  Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. A., Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот, [Текст] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1493-1497 Павельев_оптимизация
• Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
  Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. A., Оболенская, Е. С.
  
  Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1337-1345 Павельев_радиационная
• Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
  Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. А., Кошуринов, Ю. И. , Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
  
  Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1548-1553 Павельев_моделирование
• Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
  Оболенская, Е. С., Тарасова, Е. А., Чурин, А. Ю., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
  
  Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1605-1609 .- Оболенская_исследование