-
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
Забавичев, И. Ю., Потехин, А. А., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1520-1524
Забавичев_деградация
-
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
Забавичев, И. Ю., Оболенская, Е. С., Потехин, А. А., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1489-1492
Забавичев_транспорт
-
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~ 100нм
Тарасова, Е. А., Оболенский, С. В., Хазанова, C. В., Григорьева, Н. Н., Голиков, О. Л., Иванов, А. Б., Пузанов, А. С.
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~ 100нм , [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 9. - С. 968-973 .-
Тарасова_компенсация
-
Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи
Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 791-795
Пузанов_разогрев
-
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
Забавичев, И. Ю., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 945-951
Забавичев_влияние
-
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1295-1299
Пузанов_применение
-
Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Козлов, В. А.
Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1706-1712
Пузанов_влияние
