Поиск

Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах

Авторы: Забавичев, И. Ю. Пузанов, А. С. Оболенский, С. В. Козлов, В. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
Электронный ресурс
Ключевые слова радиационные дефекты
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 9. - С. 945-951
Имя макрообъекта Забавичев_влияние