| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676392101 |
| Дата корректировки | 14:44:30 7 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.09.49837.31 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Забавичев, И. Ю. | |
|
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах Электронный ресурс |
|
| Impact of defect cluster scattering potential on carrier transport in GaAs semiconductor structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Проведено численное моделирование изменения подвижности носителей заряда после радиационного воздействия в GaAs-структурах. Для каждого исследуемого потенциала рассеяния получены значения модельных параметров, при которых результаты расчета согласуются с экспериментальными данными. Впервые показано, что вид потенциала рассеяния на радиационных дефектах определяет временную и пространственную динамику всплеска скорости в коротких структурах. |
| Ключевые слова | радиационные дефекты |
|
Монте-Карло, метод кластеры радиационных дефектов эффект всплеска скорости |
|
|
Пузанов, А. С. Оболенский, С. В. Козлов, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 945-951 |
|
| Имя макрообъекта | Забавичев_влияние |
| Тип документа | b |
