| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения Электронный ресурс |
|
| Ключевые слова | МОП-транзисторы |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1366-1372 |
|
| Имя макрообъекта | Хананова_разработка |
