| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690477119 |
| Дата корректировки | 15:19:23 17 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46600.22 1. | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Хананова, А. В. | |
|
Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения Электронный ресурс |
|
| Development of a physical-topological model of the reaction of a powerful vertical DMOS transistor to the pulsed gamma-irradiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Впервые предложен метод разработки моделей полупроводниковых приборов с двумерными неоднородными профилями концентрации доноров и акцепторов в рабочих областях полупроводниковой структуры прибора на основе комплекса физико-топологического моделирования транспорта носителей заряда и технологического моделирования процессов формирования структуры прибора. Применение технологического моделирования обусловлено необходимостью корректного определения параметров полупроводниковой структуры прибора, которые используются в качестве исходных данных для проведения расчетов транспорта электронов по физико-топологической модели. Для мощного МОП транзистора, создаваемого методом двойной диффузии, по известным электрическим характеристикам и измеренным геометрическим размерам структуры определялись параметры технологических процессов ионной имплантации, диффузии и литографии, которые уточнялись в ходе технологического моделирования. |
| Ключевые слова | МОП-транзисторы |
|
металл-осксид-полупроводник импульсное гамма-излучение двумерные полупроводниковые структуры физико-топологические модели |
|
| Оболенский, С. В. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1366-1372 |
|
| Имя макрообъекта | Хананова_разработка |
| Тип документа | b |
