Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Хананова, А. В.

Статьи. Автор - Хананова, А. В.

• Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения
  Хананова, А. В., Оболенский, С. В.
  
  Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1366-1372 Хананова_разработка
• Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения
  Тарасова, Е. А., Хананова, А. В., Оболенский, С. В., Земляков, В. Е., Свешниковo, Ю. Н., Егоркин, В. И., Иванов, В. А., Медведев, Г. В., Смотрин, Д. С.
  
  Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 331-338 .- Тарасова_исследование