Поиск

Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире

Авторы: Кабальнов, Ю. А. Труфанов, А. Н. Оболенский, С. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире
Электронный ресурс
Аннотация Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний-на-сапфире. Показано, что по основным параметрам они не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии.
Ключевые слова фотодиоды
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 3. - С. 388-395
Имя макрообъекта Кабальнов_исследование