| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695810477 |
| Дата корректировки | 8:45:11 18 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.03.47292.8813 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кабальнов, Ю. А. | |
|
Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире Электронный ресурс |
|
| Radiation hardness of silicon-on-sapphire photodiodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний-на-сапфире. Показано, что по основным параметрам они не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии. |
| Ключевые слова | фотодиоды |
|
кремний-на-сапфире кремниевые диоды радиационная стойкость диодов ионизирующее излучение |
|
|
Труфанов, А. Н. Оболенский, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 388-395 |
|
| Имя макрообъекта | Кабальнов_исследование |
| Тип документа | b |
