Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения
Тарасова, Е. А., Хананова, А. В., Оболенский, С. В., Земляков, В. Е., Свешниковo, Ю. Н., Егоркин, В. И., Иванов, В. А., Медведев, Г. В., Смотрин, Д. С.
Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 331-338 .-
Тарасова_исследование
