Индекс УДК | 621.315.592 |
Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах Электронный ресурс |
|
Аннотация | Проведено моделирование фононных мод квантово-каскадных гетероструктур на основе двойных и тройных полупроводниковых соединений. Рассчитаны зависимости частот интерфейсных фононных мод структуры от волнового вектора в плоскости слоев и от набега фазы на периоде сверхрешетки. Найдено, что диапазон вариации энергий квантов фононных мод GaAs/Al[0.25]Ga[0.75]As-структуры не превышает 2 мэВ. Рассчитанная результирующая скорость межподзонного рассеяния в структуре с учетом интерфейсных и ограниченных мод практически не отличается от расчетов в приближении объемных фононов структуры. |
Ключевые слова | квантово-каскадные лазеры |
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 780-784 |
|
Имя макрообъекта | Афоненко_анализ |