| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Pассмотрены условия эпитаксиального выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазного разложения моногермана на "горячей проволоке". Предложенная комбинированная методика роста позволяет выращивать слои Si[1-x]Ge[x] толщиной до 2 мкм и более. Интенсивность фотолюминесценции слоев Si[1-x]Ge[x] : Er значительно (более чем в 5раз) превосходит интенсивность фотолюминесценции в слоях, полученных при стандартных условиях роста, для которых значение внешней квантовой эффективности оценивается величиной ~ 0.4%. |
| Ключевые слова | высококачественные релаксированные слои |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 |
| Имя макрообъекта | Шенгуров_условия |
