| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674840305 |
| Дата корректировки | 15:56:49 20 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шенгуров, В. Г. | |
|
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si Электронный ресурс |
|
| Growth conditions of high-quality relaxed Si[1-x]Ge[x] layers with high content of germanium by chemical vapor deposition monogermane sublimated on Si "hot wire" | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Pассмотрены условия эпитаксиального выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазного разложения моногермана на "горячей проволоке". Предложенная комбинированная методика роста позволяет выращивать слои Si[1-x]Ge[x] толщиной до 2 мкм и более. Интенсивность фотолюминесценции слоев Si[1-x]Ge[x] : Er значительно (более чем в 5раз) превосходит интенсивность фотолюминесценции в слоях, полученных при стандартных условиях роста, для которых значение внешней квантовой эффективности оценивается величиной ~ 0.4%. |
| Ключевые слова | высококачественные релаксированные слои |
|
германий газофазное разложение эпитаксиальное выращивание молекулярно-лучевая эпитаксия газофазная эпитаксия фотолюминесценция атомно-силовая микроскопия полупроводниковые лазеры |
|
|
Чалков, В. Ю. Денисов, С. А. Матвеев, С. А. Нежданов, А. В. Машин, А. И. Филатов, Д. О. Степихова, М. В. Красильник, З. Ф. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 |
| Имя макрообъекта | Шенгуров_условия |
| Тип документа | b |
