-
Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
Филатов, Д. О., Казанцева, И. А., Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Горшков, А. П., Мишкин, В. П.
Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 563-568
Филатов_исследование
-
Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
Филатов, Д. О., Антонов, Д. А., Антонов, И. Н., Белов, А. И., Баранова, В. Н., Шенина, М. Е., Горшков, О. Н.
Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 4. - С. 556-561 .-
Филатов_резистивное
-
Начальные стадии МОС-гидридной эпитаксии арсенида галлия
Болдыревский, П. Б., Филатов, Д. О., Казанцева, И. А., Смотрин, Д. С., Ревин, М. В.
Начальные стадии МОС-гидридной эпитаксии арсенида галлия, [Текст]
ил.
Неорганические материалы, 2016, Т. 52, № 10. - С. 1054-1059
-
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si
Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Матвеев, С. А., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Филатов, Д. О., Степихова, М. В., Красильник, З. Ф.
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 .-
Шенгуров_условия
-
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Иванова, М. М., Качемцев, А. Н., Михайлов, А. Н., Филатов, Д. О., Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Чалков, В. Ю., Шенгуров, В. Г.
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 651-655
Иванова_влияние
