Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Поиск

Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge

Авторы: Иванова, М. М. Качемцев, А. Н. Михайлов, А. Н. Филатов, Д. О. Горшков, А. П. Волкова, Н. С. Чалков, В. Ю. Шенгуров, В. Г.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Электронный ресурс
Ключевые слова импульсное гамма-нейтронное облучение
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 6. - С. 651-655
Имя макрообъекта Иванова_влияние