| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688129463 |
| Дата корректировки | 11:10:06 21 октября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.06.45931.8670 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванова, М. М. | |
|
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge Электронный ресурс |
|
| Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of the Si-based photodiodes with the GeSi nanoislands and AGe epitaxial layuers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты сравнительного исследования влияния импульсного гамма-нейтронного облучения на спектры фоточувствительности Si p-n-фотодиодов с активной областью на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi и эпитаксиальных слоев Ge. Установлено, что облучение фотодиодов с наноостровками GeSi не приводит к деградации фоточувствительности в спектральной области межзонного оптического поглощения в наноостровках (диапазон длин волн 1.1-1.7мкм). В то же время обнаружено монотонное ослабление собственной фоточувствительности Si, а также фоточувствительности фотодиодов на базе эпитаксиальных слоев Ge с ростом дозы облучения, связанное с накоплением радиационных дефектов в матрице Si и в глубине эпитаксиальных слоев Ge соответственно. |
| Ключевые слова | импульсное гамма-нейтронное облучение |
|
гамма-нейтронное облучение фотодиоды фоточувствительность фотодиодов наноостровки GeSi сульфид германия эпитаксиальные слои Ge германий |
|
|
Качемцев, А. Н. Михайлов, А. Н. Филатов, Д. О. Горшков, А. П. Волкова, Н. С. Чалков, В. Ю. Шенгуров, В. Г. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 651-655 |
|
| Имя макрообъекта | Иванова_влияние |
| Тип документа | b |
