Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Михайлов, А. Н.

Статьи. Автор - Михайлов, А. Н.

• Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si
  Тихов, С. В., Горшков, О. Н., Антонов, И. Н., Тетельбаум, Д. И. , Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Морозов, А. И., Karakolis, P., Dimitrakis, P.
  
  Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1436-1442 .- Тихов_особенности
• Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
  Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Коновалов, М. В., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Михайлов, А. Н., Тетельбаум, Д. И.
  
  Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 241-244 .- Соболев_Si Si
• Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
  Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Васильев, В. К., Гусейнов, Д. В., Окулич, Е. В., Шемухин, А. А., Суродин, С. И., Нежданов, А. В., Пирогов, А. В., Тетельбаум, Д. И.
  
  Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN, [Электронный ресурс] // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 274-278 .- Королев_послойный
• Об электрокоррозии элементов радиоэлектронной сети
  Герасименко, А. А., Михайлов, А. Н.
  
  Об электрокоррозии элементов радиоэлектронной сети, [Текст] Ил.8
• Влияние конструктивных особенностей циклонных аппаратов на их аэродинамические свойства
  Месхи, Б. Ч., Булыгин, Ю. И., Михайлов, А. Н., Потемкина, А. В. , Панченко, О. С.
  
  Влияние конструктивных особенностей циклонных аппаратов на их аэродинамические свойства, [Текст] ил. Безопасность жизнедеятельности, 2010, № 12. - С.22-28
• Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}
  Терещенко, А. Н. , Королёв, Д. С., Королев, Д. С., Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Никольская, А. А., Павлов, Д. А., Тетельбаум, Д. И. , Штейнман, Э. А.
  
  Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 702-707 Терещенко_влияние
• Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa[2]Cu[3]O[7-x] во внешних магнитных полях
  Антонов, А. В., Иконников, А. В., Мастеров, Д. В., Михайлов, А. Н., Морозов, С. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Тетельбаум, Д. И. , Уставщиков, С. С., Юнин, П. А.
  
  Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa[2]Cu[3]O[7-x] во внешних магнитных полях, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 9. - С. 1573-1578 .- Антонов_отличительные
• Экспериментальное наблюдение s -компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
  Антонов, А. В., Васильев, В. К., Мастеров, Д. В., Михайлов, А. Н., Морозов, С. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Тетельбаум, Д. И. , Уставщиков, С. С., Юнин, П. А.
  
  Экспериментальное наблюдение s -компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 9. - С. 1434-1439 .- Антонов_экспериментальное
• Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
  Иванова, М. М., Качемцев, А. Н., Михайлов, А. Н., Филатов, Д. О., Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Чалков, В. Ю., Шенгуров, В. Г.
  
  Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 651-655 Иванова_влияние
• Деформационные процессы в технологиях термоформования осесимметричных изделий из вязкоэластичных полимеров [Текст]
  Хосейни, Х., Михайлов, А. Н., Кузьмин, М. С., Бердышев, Б. В.
  
  Деформационные процессы в технологиях термоформования осесимметричных изделий из вязкоэластичных полимеров [Текст] Ил.4 2005, № 4 .- С. 46-49, Пластические массы