Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN - Статьи - Базы данных - БГТУ

Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN

Авторы: Михайлов, А. Н. Белов, А. И. Васильев, В. К. Гусейнов, Д. В. Окулич, Е. В. Шемухин, А. А. Суродин, С. И. Нежданов, А. В. Пирогов, А. В. Тетельбаум, Д. И.

Подробная информация

Индекс УДК	621.382
	Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN Электронный ресурс
Аннотация	Исследованы состав и структура приповерхностных слоев кремния, подвергнутых совместной имплантации ионов галлия и азота с последующим отжигом, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, электронного парамагнитного резонанса, рамановской спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено небольшое перераспределение имплантированных атомов перед отжигом и существенный сдвиг к поверхности во время отжига в зависимости от порядка имплантации. Установлено, что около 2% атомов имплантированного слоя замещены галлием, связанным с азотом, однако фазу нитрида галлия выявить не удалось. В то же время обнаружены обогащенные галлием включения, содержащие ~ 25 ат% галлия, как кандидаты для последующего синтеза включений GaN.
Ключевые слова	кремний
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 2. - С. 274-278
Имя макрообъекта	Королев_послойный