Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/669719227 |
Дата корректировки | 9:28:22 22 марта 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.382 |
Королев, Д. С. | |
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN Электронный ресурс |
|
Layer-by-layer composition and structure of silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions for ion synthesis of GaN | |
Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
Аннотация | Исследованы состав и структура приповерхностных слоев кремния, подвергнутых совместной имплантации ионов галлия и азота с последующим отжигом, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, электронного парамагнитного резонанса, рамановской спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено небольшое перераспределение имплантированных атомов перед отжигом и существенный сдвиг к поверхности во время отжига в зависимости от порядка имплантации. Установлено, что около 2% атомов имплантированного слоя замещены галлием, связанным с азотом, однако фазу нитрида галлия выявить не удалось. В то же время обнаружены обогащенные галлием включения, содержащие ~ 25 ат% галлия, как кандидаты для последующего синтеза включений GaN. |
Служебное примечание | Королёв, Д. С. |
Ключевые слова | кремний |
галлий азот ионная имплантация ионный синтез GaN рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия резерфордовское обратное рассеяние электронный парамагнитный резонанс спектроскопия электронная микроскопия имплантированные примеси нанокристаллы GaN |
|
Михайлов, А. Н. Белов, А. И. Васильев, В. К. Гусейнов, Д. В. Окулич, Е. В. Шемухин, А. А. Суродин, С. И. Николичев, Д. Е. Нежданов, А. В. Пирогов, А. В. Павлов, Д. А. Тетельбаум, Д. И. |
|
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 274-278 |
Имя макрообъекта | Королев_послойный |
Тип документа | b |