Поиск

Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN

Авторы: Михайлов, А. Н. Белов, А. И. Васильев, В. К. Гусейнов, Д. В. Окулич, Е. В. Шемухин, А. А. Суродин, С. И. Нежданов, А. В. Пирогов, А. В. Тетельбаум, Д. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/669719227
Дата корректировки 9:28:22 22 марта 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.382
Королев, Д. С.
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Электронный ресурс
Layer-by-layer composition and structure of silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions for ion synthesis of GaN
Библиография Библиогр.: 13 назв.
Аннотация Исследованы состав и структура приповерхностных слоев кремния, подвергнутых совместной имплантации ионов галлия и азота с последующим отжигом, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, электронного парамагнитного резонанса, рамановской спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено небольшое перераспределение имплантированных атомов перед отжигом и существенный сдвиг к поверхности во время отжига в зависимости от порядка имплантации. Установлено, что около 2% атомов имплантированного слоя замещены галлием, связанным с азотом, однако фазу нитрида галлия выявить не удалось. В то же время обнаружены обогащенные галлием включения, содержащие ~ 25 ат% галлия, как кандидаты для последующего синтеза включений GaN.
Служебное примечание Королёв, Д. С.
Ключевые слова кремний
галлий
азот
ионная имплантация
ионный синтез GaN
рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
резерфордовское обратное рассеяние
электронный парамагнитный резонанс
спектроскопия
электронная микроскопия
имплантированные примеси
нанокристаллы GaN
Михайлов, А. Н.
Белов, А. И.
Васильев, В. К.
Гусейнов, Д. В.
Окулич, Е. В.
Шемухин, А. А.
Суродин, С. И.
Николичев, Д. Е.
Нежданов, А. В.
Пирогов, А. В.
Павлов, Д. А.
Тетельбаум, Д. И.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 2. - С. 274-278
Имя макрообъекта Королев_послойный
Тип документа b