-
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si
Тихов, С. В., Горшков, О. Н., Антонов, И. Н., Тетельбаум, Д. И. , Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Морозов, А. И., Karakolis, P., Dimitrakis, P.
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1436-1442 .-
Тихов_особенности
-
Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
Окулич, Е. В., Окулич, В. И., Тетельбаум, Д. И.
Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 771-777
Окулич_расчет
-
Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Коновалов, М. В., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Михайлов, А. Н., Тетельбаум, Д. И.
Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 241-244 .-
Соболев_Si Si
-
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Васильев, В. К., Гусейнов, Д. В., Окулич, Е. В., Шемухин, А. А., Суродин, С. И., Нежданов, А. В., Пирогов, А. В., Тетельбаум, Д. И.
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 274-278 .-
Королев_послойный
-
Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}
Терещенко, А. Н. , Королёв, Д. С., Королев, Д. С., Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Никольская, А. А., Павлов, Д. А., Тетельбаум, Д. И. , Штейнман, Э. А.
Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 702-707
Терещенко_влияние
-
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами
Окулич, Е. В., Окулич, В. И., Тетельбаум, Д. И.
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 967-972
Окулич_расчет
-
Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa[2]Cu[3]O[7-x] во внешних магнитных полях
Антонов, А. В., Иконников, А. В., Мастеров, Д. В., Михайлов, А. Н., Морозов, С. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Тетельбаум, Д. И. , Уставщиков, С. С., Юнин, П. А.
Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa[2]Cu[3]O[7-x] во внешних магнитных полях, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 9. - С. 1573-1578 .-
Антонов_отличительные
-
Экспериментальное наблюдение s -компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
Антонов, А. В., Васильев, В. К., Мастеров, Д. В., Михайлов, А. Н., Морозов, С. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Тетельбаум, Д. И. , Уставщиков, С. С., Юнин, П. А.
Экспериментальное наблюдение s -компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 9. - С. 1434-1439 .-
Антонов_экспериментальное
