| Индекс УДК | 621.385.2 |
|
Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы кремниевые светодиоды, изготовленные с помощьюим плантации ионов Si и газофазного осаждения. В светодиодах на основе n-Si наблюдается дислокационная электролюминесценция при комнатной температуре. В светодиодах на основе p-Si электролюминесценция гаснет при температурах выше 220 K. Измерены эффективности возбуждения электролюминесценции D1 линии при комнатной температуре, а также D1 и D4 линий при температуре жидкого азота. |
| Ключевые слова | светодиоды |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 241-244 |
| Имя макрообъекта | Соболев_Si Si |
