| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669827386 |
| Дата корректировки | 15:25:23 23 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.385.2 |
| Соболев, Н. А. | |
|
Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре Электронный ресурс |
|
| Si : Si Light-emitting Diodes with Room-Temperature dislocation-related Luminescence | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Исследованы кремниевые светодиоды, изготовленные с помощьюим плантации ионов Si и газофазного осаждения. В светодиодах на основе n-Si наблюдается дислокационная электролюминесценция при комнатной температуре. В светодиодах на основе p-Si электролюминесценция гаснет при температурах выше 220 K. Измерены эффективности возбуждения электролюминесценции D1 линии при комнатной температуре, а также D1 и D4 линий при температуре жидкого азота. |
| Ключевые слова | светодиоды |
|
дислокационная люминесценция люминесценция кремниевые светодиоды газофазная эпитаксия |
|
|
Калядин, А. Е. Коновалов, М. В. Аруев, П. Н. Забродский, В. В. Шек, Е. И. Штельмах, К. Ф. Михайлов, А. Н. Тетельбаум, Д. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 241-244 |
| Имя макрообъекта | Соболев_Si Si |
| Тип документа | b |
