Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Шек, Е. И.

Статьи. Автор - Шек, Е. И.

• Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
  Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Сахаров, В. И., Серенков, И. Т., Шек, Е. И. , Паршин, Е. О., Мелесов, Н. С. , Симакин, С. Г.
  
  Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 165-168 Соболев_дислокационная
• Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
  Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Коновалов, М. В., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Михайлов, А. Н., Тетельбаум, Д. И.
  
  Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 241-244 .- Соболев_Si Si
• Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами
  Соболев, Н. А., Штельмах, К. Ф., Калядин, А. Е., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Yang, D.
  
  Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 254-258 .- Соболев_электролюминесцентные
• Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
  Калядин, А. Е., Соболев, Н. А., Стрельчук, А. М., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И.
  
  Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 250-253 .- Калядин_влияние
• Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
  Соболев, Н. А., Александров, О. В., Сахаров, В. И., Серенков, И. Т., Шек, Е. И. , Калядин, А. Е., Паршин, Е. О., Мелесов, Н. С.
  
  Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 161-164 Соболев_влияние
• Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
  Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Карабешкин, К. В.
  
  Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 12. - С. 2411-2414 .- Соболев_влияние
• Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
  Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф.
  
  Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1182-1184 Соболев_влияние
• Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
  Калядин, А. Е., Штельмах, К. Ф., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Карабешкин, К. В., Шек, Е. И. , Соболев, Н. А.
  
  Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 580-584 Калядин_кремниевые