Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства - Статьи - Базы данных - БГТУ

Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства

Авторы: Калядин, А. Е. Соболев, Н. А. Стрельчук, А. М. Аруев, П. Н. Забродский, В. В. Шек, Е. И.

Подробная информация

Индекс УДК	621.385.2
	Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства Электронный ресурс
Аннотация	Исследованы n{+}-p-p{+}-светодиоды на основе SiGe, сильно легированные слои в которых изготовлены по диффузионной (диффузия бора и фосфора) и газофазной (нанесение слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором, путем газофазного осаждения) технологиям. Спектры электролюминесценции обоих типов светодиодов идентичны, однако интенсивность в диодах газофазной технологии ниже в ~ 20 раз. В диодах газофазной технологии по сравнению с диффузионными наблюдалось существенное увеличение обратных и прямых токов. Ухудшение люминесцентных и электрофизических характеристик газофазных диодов обусловлено образованием дефектов на границе между эмиттерным и базовым слоями.
Ключевые слова	светодиоды
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 2. - С. 250-253
Имя макрообъекта	Калядин_влияние