| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669570017 |
| Дата корректировки | 8:40:57 22 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.385.2 |
| Калядин, А. Е. | |
|
Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства Электронный ресурс |
|
| Influence of the SiGe-based light-emitting diode preparation conditions on their luminescence and electrophysical properties | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Исследованы n{+}-p-p{+}-светодиоды на основе SiGe, сильно легированные слои в которых изготовлены по диффузионной (диффузия бора и фосфора) и газофазной (нанесение слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором, путем газофазного осаждения) технологиям. Спектры электролюминесценции обоих типов светодиодов идентичны, однако интенсивность в диодах газофазной технологии ниже в ~ 20 раз. В диодах газофазной технологии по сравнению с диффузионными наблюдалось существенное увеличение обратных и прямых токов. Ухудшение люминесцентных и электрофизических характеристик газофазных диодов обусловлено образованием дефектов на границе между эмиттерным и базовым слоями. |
| Ключевые слова | светодиоды |
|
спектры электролюминесценции электролюминесценция кремниевая оптоэлектроника молекулярно-пучковая эпитаксия диоды |
|
|
Соболев, Н. А. Стрельчук, А. М. Аруев, П. Н. Забродский, В. В. Шек, Е. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 250-253 |
| Имя макрообъекта | Калядин_влияние |
| Тип документа | b |
