Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Забродский, В. В.

Статьи. Автор - Забродский, В. В.

• Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
  Калинина, Е. В., Кудояров, М. Ф., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В.
  
  Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 11. - С. 1244-1248 Калинина_структурные
• Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
  Калинина, Е. В., Каташев, А. А., Виолина, Г. Н., Стрельчук, А. М., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В.
  
  Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников, [Электронный ресурс] цв. ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1368-1373 Калинина_структурные
• Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
  Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Коновалов, М. В., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Михайлов, А. Н., Тетельбаум, Д. И.
  
  Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 241-244 .- Соболев_Si Si
• Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами
  Соболев, Н. А., Штельмах, К. Ф., Калядин, А. Е., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Yang, D.
  
  Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 254-258 .- Соболев_электролюминесцентные
• Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
  Калядин, А. Е., Соболев, Н. А., Стрельчук, А. М., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И.
  
  Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 250-253 .- Калядин_влияние
• Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых p-n-структур
  Захарьин, А. О., Васильев, Ю. Б., Соболев, Н. А., Забродский, В. В., Егоров, С. В., Андрианов, А. В.
  
  Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых p-n-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 632-636 Захарьин_инжекционная
• Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
  Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Карабешкин, К. В.
  
  Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 12. - С. 2411-2414 .- Соболев_влияние
• Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника
  Калинина, Е. В., Лёвина, С. А., Виолина, Г. Н., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В., Шварц, М. З., Левина, С. А., Николаев, А. В.
  
  Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 195-200 Калинина _влияние
• Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
  Калядин, А. Е., Штельмах, К. Ф., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Карабешкин, К. В., Шек, Е. И. , Соболев, Н. А.
  
  Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 580-584 Калядин_кремниевые