| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур n-4H-SiC, представляющих высоколегированную n{+}-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне N[d] - N[a] = (1-50) · 10{14} см{-3}. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников. |
| Ключевые слова | ультрафиолетовые фотоприемники |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 12. - С. 1368-1373 |
|
| Имя макрообъекта | Калинина_структурные |
