| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677692599 |
| Дата корректировки | 16:49:57 22 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.12.50239.9498 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калинина, Е. В. | |
|
Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников Электронный ресурс |
|
| Structural, electrical and optical properties of 4H-SiC for ultraviolet photodetectors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур n-4H-SiC, представляющих высоколегированную n{+}-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне N[d] - N[a] = (1-50) · 10{14} см{-3}. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников. |
| Ключевые слова | ультрафиолетовые фотоприемники |
|
карбид кремния рентгеноструктурный анализ эффект геттерирования квантовая эффективность ультрафиолетовое излучение полупроводниковые материалы |
|
|
Каташев, А. А. Виолина, Г. Н. Стрельчук, А. М. Никитина, И. П. Иванова, Е. В. Забродский, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 12. - С. 1368-1373 |
|
| Имя макрообъекта | Калинина_структурные |
| Тип документа | b |
