| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты исследования влияния облучения тяжелыми ионами Ar на структурные и оптические характеристики 4H-SiC. Показано, что в результате уже однократного облучения ионами Ar с энергией 53МэВ, флюенсом 1· 10{10} см{-2} в структуре карбида кремния преобладают как минимум две мощные локальные области с отрицательной деформацией. Наряду с этим в структуре наблюдается также область с положительной деформацией. Формирование локализованных кластеров с отрицательной и положительной деформациями наряду с ненарушенной матрицей сопровождается образованием дефектов линейного типа, частично снимающих напряжения в структуре. Предполагается, что возникающая сложная дефектная структура при облучении ионами Ar обеспечивает эффект геттерирования точечных дефектов и приводит к значениям квантовой эффективности ультрафиолетовых 4H-SiC-фотоприемников на уровне исходных образцов. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 11. - С. 1244-1248 |
|
| Имя макрообъекта | Калинина_структурные |
