| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677615666 |
| Дата корректировки | 18:37:39 21 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.11.50096.9481 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калинина, Е. В. | |
|
Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона Электронный ресурс |
|
| Structural and optical characteristics of 4H-SiC UV detectors irradiated with argon ions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования влияния облучения тяжелыми ионами Ar на структурные и оптические характеристики 4H-SiC. Показано, что в результате уже однократного облучения ионами Ar с энергией 53МэВ, флюенсом 1· 10{10} см{-2} в структуре карбида кремния преобладают как минимум две мощные локальные области с отрицательной деформацией. Наряду с этим в структуре наблюдается также область с положительной деформацией. Формирование локализованных кластеров с отрицательной и положительной деформациями наряду с ненарушенной матрицей сопровождается образованием дефектов линейного типа, частично снимающих напряжения в структуре. Предполагается, что возникающая сложная дефектная структура при облучении ионами Ar обеспечивает эффект геттерирования точечных дефектов и приводит к значениям квантовой эффективности ультрафиолетовых 4H-SiC-фотоприемников на уровне исходных образцов. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
облучение ионами Ar квантовая эффективность ультрафиолетовые 4H-SiC-детекторы ионы аргона аргон |
|
|
Кудояров, М. Ф. Никитина, И. П. Иванова, Е. В. Забродский, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 11. - С. 1244-1248 |
|
| Имя макрообъекта | Калинина_структурные |
| Тип документа | b |
